硬件要闻归档

台积电产能不够，客户直接出钱买封装产能

刻蚀清洗先受益，先进NAND扩产提速

2027订单已锁，存储真风险在2028

爱尔兰数据中心已占用电23%，审批更难

模组厂抢产能，缺货预期已看到2029

代工龙头首次碰存储制造，三巨头格局被撬开

创近十年新高，Q4 PC DRAM再涨13%-18%

AI ASIC可双选CoWoS/EMIB，不再单靠台积电

营收几乎全靠涨价，GPU:CPU配比降到2:1

原厂产能转AI，车企开始验证国产存储

Q4合约涨幅收窄到10-15%，涨价见顶论升温

2028才投产的DRAM增量延后，台湾占其60%产能

AI服务器覆铜板本已缺货，台厂有望接转单

三座10万片新厂要靠这笔钱，2027扩产打折

无中介层省晶圆，CoWoS独家供货被撕开缺口

单厂月产10万片，押注AI数据中心NAND

AMD拿走多数订单，2nm做HBM基底

数据中心Q3增97%，2027营收预增80%

缺件预警3-6个月，扩产被设备卡住

LPDDR堆叠或绕开CoWoS，2027送样

国产HBM良率20-30%，算力成本被推高

部分产品季涨30-40%，模组厂看到明夏

内存成本吃掉1个点毛利，下季仍降

全股票押光互连，博通多一个对手

成熟制程更紧，8英寸稼动率冲90%

国产DRAM进第六代，LPDDR6已向小米出货

两座厂2029年底投产，直逼三星泰勒厂

1万片起步、7倍CMOS价，光互连更紧

AI服务器拉动，出口增速创1974年来最高

四年增180GW，服务器与存储需求有底

国产DRAM量价齐升，四季度供给仍紧

企业级SSD占65%，NAND紧缺看到2027

消费端先松动，与原厂涨价形成背离

2028量产，ASIC阵营再添一家云厂

Nova Lake上18A-P，代工报价有下探空间

NAND增量六成靠出货，涨价不再是唯一引擎

补CoWoS-L与CPO场地，先进封装再扩产

代工也缺产能，HPC将占其代工营收过半

服务器CPU两年增30%，机柜瓶颈往上游移

DDR5五代RCD放量，服务器内存需求实锤

国产DRAM盈利兑现，替代逻辑加速

NAND产能锁定到2027，缺货延续至明年

云厂自研芯片首次外销，直接对标英伟达

ASIC量产落地，2027目标份额15-20%

内存涨价反噬终端，PC需求先松动

存储超级周期被财报确认，短缺看到2028年

先进封装成AI芯片新堵点，代工封装双提价

wafer贸易价低于官价30%，现货先于合约松动

点名内存存储成本上涨，AI硬件需求不见顶

企业级SSD需求爆发，Q4指引同比翻倍

良率仅20-30%仍推量产，国产HBM从0到1

数据中心占营收81%，HDD产能已排到2028年

推理吃容量，企业级SSD成NAND新增长极

HBM4与3D封装的关键设备卡位

Rubin机架上量，DDR5与HBM需求再加码

营业利润率80%，27-28年产能已锁过半

先进封装产能紧缺，AI芯片成本再抬

HBM与DRAM分配仍是扩产最大瓶颈

NAND现货先松动，消费级SSD见顶

存储成本传导终端，企业预算已上调三四成

降层数换产量，同等晶圆可出更多HBM堆栈

存储涨价压垮终端需求，本轮首个需求破坏信号

企业级存储量价齐升，289亿存货押注继续涨

中小容量存储缺货涨价，利基厂弹性最大

内存成本逼低端机减产，LPDDR/eMMC需求走弱

板块自高点跌37%，2027年PE仅约3倍

海力士28日、三星29日，看扩产与Q4报价

在华产线追层数，仍卡美国设备许可

备货上调至千万支，手机存储需求再加码

AI推理推QLC，消费级SSD反而累库

云厂订单排到2028，HBM/DRAM紧缺被官方确认

AI与HBM拉动，最上游硅片厂已确认扩产

股价回撤叠加韩国监管，NAND扩产融资改道

存储涨价外溢到代工，2027成本还要上行

对准3D DRAM/NAND，国产设备卡住关键刻蚀

存储股刚因过剩担忧大跌，龙头出面反驳

存储涨价推高整机价，需求反噬或压制颗粒订单

客户出钱换三星电机FC-BGA产能，基板成AI新瓶颈

注册资本增18%，国产DRAM扩产继续提速

与长鑫路线分叉，DRAM设备需求转向3D堆叠

长存份额升至15%与企业级需求激增，逼迫韩厂在华产线技术追赶

AI服务器交付提速，印证云巨头算力基础设施投资景气度持续上行

出厂预集成降低现场交付门槛，联合整机与电力基础设施巨头锁单

2nm先进制程大客户谈判迟滞，短期依靠成熟先进制程产能保业绩

突破纯SRAM片上缓存容量瓶颈，3D垂直封装优化能效与尺寸

原厂产能向HBM倾斜加剧标条紧缺，终端厂商提前锁单规避成本

AI推理拉动服务器需求，DDR5接口及配套芯片放量兑现业绩

增幅近40倍，晶圆制造封测扩产深化跨国巨头本土产业链绑定

劳资争议扰动台湾厂区运营，存储现货供给预期或进一步收紧

LPDDR堆叠逻辑芯片直面具身智能，降低延迟开辟端侧存储赛道

国产DRAM龙头放量兑现超额利润，算力与存力周期带动国产替代全面提速

AI基建挤占全球产线无重复下单，供需失衡延至2027年后利好存储周期

高规格封装基板成HBM产能核心瓶颈，供应链锁定长单强化上游定价权

原厂产能全面倾斜高毛利HBM挤压标条出货，终端消费芯片面临成本传导

北美云厂加码AI推升企业级SSD采购，Gen6/7先进制程主控加速商用

为进英伟达链妥协自研代工，代工与先进封装格局再固化

AI需求倒逼海外先进制程抢建，德州新厂评估全面提速

获日经产省批准改建月产6千片，AI需求推动海外节点升级

高位成本压缩硬件利润，供应链松动或加速导入多元供应

云厂自研大模型定制芯加速，联发科成ASIC核心代工新势力

客户排队抢订29/30年机台，拟两年内扩产超60%

AI需求倒逼产能提前放量，月产能较原计划上调20%

攻关模拟存内计算，吞吐量提升20倍能效提升数千倍

存储涨价与出货双击，单季扣非净利同增超740%

自研H9560主控卡位服务器分层存储，加速生态导入

旧款iPhone全系涨价600-2300元，成本转嫁终端

亚利桑那二厂量产再提前，并派团评估德州设厂

云厂用自研ASIC替代受限GPU，联发科将成第二客户

VCT垂直堆叠成下代DRAM路线，代号D0a节点

存储涨价压制终端需求，仅三星苹果份额提升

Q4指引523-543亿美元，AI需求仍远超供给

用NAND堆出类HBM，AI推理存储层级被重构

KOSPI跌超8%触发熔断，海力士-11%三星-10%

客户已问询2029-2030机台，明年拟扩产30%

营收380-400亿，模组厂吃满涨价红利

算力军备赛年增106%，存储与光模块需求上限再抬

AI芯片抢产能，2nm提前放量利好设备材料

6F²微缩见顶，DRAM转向3D堆叠+混合键合

单季新增1300亿，存储长单锁到2027年后

存储涨价传导到分销商，A股存储链兑现

两条线分叉：成品内存续涨，晶圆贸易价反而下跌

云厂自研推理芯片，锁定HBM4与台积电2nm产能

DRAM涨价兑现到报表，新厂2027年装机

单卡480GB，推理卡抢走手机/PC内存产能

华为升至28%，国产替代吃掉管制缺口

国产服务器内存首用新架构，直挑海外原厂

存储涨完轮到CPU，整机成本再添一把火

为AI数据中心分带宽型与IOPS型两路

SSD控制器去通用CPU化，配HBF构图

广州12英寸代工厂上市，补模拟芯片国产链

特斯拉联手英特尔，逻辑内存封装一体

共研Foveros堆叠与互连，压缩量产周期

BiCS8 QLC瞄准1U高密度AI服务器

AI生态模组贡献超五成，需求仍强

读性能远超ZRAM，降AI服务器内存开销

AI客户改签5年长约，消费级供货更紧

自研VSG晶体管提密度，国产DRAM追先进制程

EUV/DUV全覆盖，明年1月生效，代工成本再升

为Trainium/Graviton优化IP，云厂自研提速

9月营收年增54.6%，AI订单能见度延至2027

LPDDR5X产能转向服务器，手机内存供应更紧

美国本土补封装短板，2028年量产缓解CoWoS瓶颈

降本传言被否，HBM4容量带宽不减，利好原厂

内存涨价致提前备货透支需求，PC链Q4承压

存储成本传导终端，手机涨价或成常态

存储涨价与HBM4放量兑现，单季利润同比增782%

台厂带头涨、AMD示警缺货，消费级内存供应最紧

同比增262.8%，存储超级周期最硬的出口数据

2nm订单目标上调15-20%，代工成本传导全链

安森美10月10日生效，成熟制程与AIDC电源成本上行

AI长约锁产能，消费级内存SSD到明年底难降价

国产NAND也跟涨，1TB SSD已上千元，白菜价回不来

玻纤布铜箔全面紧缺，服务器显卡交付受制约

存储成本首次大规模传到终端，手机涨价或成常态

涨价从存储蔓延到代工，芯片与整机成本再抬升

存储厂Q4财报有保障，但消费端涨幅明显收窄

老内存最紧俏，企业级SSD成Q4最强涨价品类

HBM4单堆栈约600→1300美元，GPU成本再上台阶

总投资或超亚利桑那2650亿，设备链再迎长单

若落地，美本土先进产能或再添一个新玩家

KB证券警示2027年或历史性短缺，涨价传导到全品类

4美元/Gb开价，明年HBM均价或涨121%，挤占普通内存产能

年内第三轮，直言内存成本涨5-7倍，整机价格还得往上走

投600亿日元菲律宾扩产翻倍，HDD成存储紧缺的替代出口

单台超200GB DRAM，FY26Q4营收542亿美元同比增379%

FY26Q4营收379%增，2027年75%产能已被客户锁定

售价明显高于2026年，HBM 吃掉更多晶圆挤压普通内存

DRAM代工价随行情涨，国产DRAM成本传导已到报表端

同比增88.2%，国产设备订单兑现、扩产仍在加速

8000MT/s 提11%，国产内存接口卡位下一代服务器平台

NAND 涨幅扩至15-20%，涨价延续到明年，买整机更难

HBM 抢产能，显卡与整机内存供给更紧、成本更高

93% 用于买设备，国产 DRAM 扩产提速、设备链受益

海外投资或超 2650 亿美元，先进制程产能再向美国转移

工期提前约半年，但仍承认 2027-2028 供给缺口扩大

北美云厂上调订单，交期翻倍到16周

存储与逻辑同步扩产，抛光片二线客户超50%

村田2029年停产消费料，戴尔惠普验证三环微容

美光/联想/超微列名被告，Netlist年内第二起

存储主控二闯A股，年出货破亿颗

估值1500亿美元，存储资产迎重估窗口

买方主动锁价，涨价周期至少延到明年上半年

村田2029年停产消费料，国产MLCC进戴尔惠普验证

32GB从149美元涨到239美元，零售端开始补涨

ArF涨16-22%，国产验证周期缩到6-12个月

AI+CoWoS扩产挤供给，沪硅/立昂微量价齐升

国产扩产提速，但机构称2027年前难改全球短缺

Netlist再度发难，美光/惠普企业/联想/超微被列名

3GB版本贵3倍，RTX 50 Super上市再添变数

高位波动加大，西数跌近5%、闪迪跌逾3%

三期初期2.5万片/月，长鑫反向做NAND

专利战首个禁令，国产NAND议价筹码

设备与MLCC短缺把供给增速压在20%出头

宏碁称库存累积，中国扩产2027年底冲击价格

Q3维持95%高位，紧缺品类已上调定价

渠道端已先于合约松动，涨价见顶信号初现

北美CSP上调需求，QLC放量，原厂议价权更强

玻璃载体清洗量2万增至5万片/月，扩产前兆

同比增259%达341亿美元，存储需求硬验证

国产模组厂加码先进封装，设备材料环节受益

自有封测产能优先给HBM，通用内存增量靠OSAT

定制芯片市场600-700亿美元，博通占八成

成本转嫁AI加速器、GPU，Ryzen或跟涨10%

北京新厂拟建NAND研发线，从DRAM纵向扩品类

三星先进代工拿下大单，年底完成量产验证

内存占AI资本开支明年升至64%，涨价是主线

有源区半间距11.95nm，国产DRAM逼近顶尖节点

光罩极限下CoWoS-L仍是首选，EMIB-T只拿外溢

NOR高容产品下半年涨90-110%，供给更集中

引脚16Gbps零错误，HBM4接口生态就绪